0
 

Эпитаксиальные слои твердых растворов SiC – AlN

 

Область применения

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового ма­териала – твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой  и опто­электроники, а также для получения буферных слоев (SiC)1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) на подложках карбида кремния (SiC).

Техническая характеристика

Способ получения эпитаксиальных слоев твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия SiC – AlN включает осаждение твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC – 6H при температуре 1000°С магнет­ронным ионно-плазменным распылением, осуществляемым из одной мишени поликристаллического твердого рас­твора SiC – AlN, изготовленной путем горячего прессования смеси порошков SiC и AlN. Полученные пленки являются монокристаллическими, обладают кристаллической структурой вюрцита, без включений второй фазы. Они обладают эффективной фотолюминесценцией при комнатной температуре.

Преимущества:

• простота технологии получения;

• высокое качество пленок, улучшение их однородности;

• низкие энергетические затраты при изготовлении.

Правовая защита

Патент № 2260636 от 20.09.05 г.

 

Структурнаясхема магнетронной распылительной системы дляполучениятонкихпленок (SiC)1-x(AlN)x

1 – плита установки, 2 – магнитопровод, 3 – кольцевые ферритовые магниты, 4 – крышка из латуни, 5 – уплотнение из фторопласта, 6 – изолирующая шайба, 7 – металлическая шай­ба, 8 – гайка, 9 – трубки ввода и вывода воды для охлаждения магнетрона, 10 – заслонка, 11 – графитовый нагреватель для подложки, 12 – мишень SiC-AlN, 13 – подложка SiC, 14 – магнит­ные силовые линии, 15 – поток распыляемого вещества.